Скорочений опис
Транзистор APM2301AAC-TRL Опис APM2301AAC – це P-канальний MOSFET транзистор, призначений для використання в схемах управління енергією та портативному обладнанні. Завдяки сучасній технології виготовлення та високі... Читати далі...
Характеристики
- Код товару: 4800128
- Наявність: На складі 80
Транзистор APM2301AAC-TRL
Опис
APM2301AAC – це P-канальний MOSFET транзистор, призначений для використання в схемах управління енергією та портативному обладнанні. Завдяки сучасній технології виготовлення та високій щільності осередків, транзистор забезпечує низький опір у відкритому стані (RDS(on)) та високу надійність. Компактний корпус SC-59 забезпечує зручність монтажу на друкованих платах у системах з обмеженим простором.
Основні характеристики
- Тип транзистора: P-канальний MOSFET.
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): -20 В.
- Максимальний струм стоку (ID):
- Постійний: -3 А.
- Опір у відкритому стані (RDS(on)):
- при VGS = -4.5 В: ≤ 120 мОм.
- при VGS = -2.5 В: ≤ 150 мОм.
- Потужність розсіювання (PD): 1.2 Вт.
- Корпус: SC-59 (поверхневий монтаж).
- Температурний діапазон: від -55°C до +150°C.
Специфікації
- Напруга затвору (VGS): ±10 В.
- Порогова напруга затвору (VGS(th)): -0.4 В … -1.0 В.
- Заряд затвора (Qg): мінімальний для високоефективного керування.
- Ємності:
- Вхідна ємність (Ciss): типово низька для швидкого перемикання.
- Діапазон робочих температур: -55°C … +150°C.
- Швидкість перемикання: висока швидкість увімкнення та вимкнення.
Переваги
- Низький опір у відкритому стані для мінімізації втрат енергії.
- Компактний корпус SC-59 для зручного монтажу.
- Надійність та стабільність роботи у складних умовах.
- Ідеально підходить для портативного обладнання та систем живлення на батареях.
APM2301AAC MOSFET, P-канальний MOSFET -20 В, транзистори SC-59 корпус, транзистори для портативних пристроїв, низьковольтні транзистори APM2301AAC, MOSFET для схем управління живленням.
транзистори APM2301AAC, P-канальний MOSFET -20 В, транзистори для батарейних систем, компактні MOSFET SC-59, транзистори для схем комутації, енергоефективний MOSFET, APM2301AAC для управління енергією, транзистори для портативних пристроїв, транзистори з низьким RDS(on), компактні транзистори APM2301AAC.
Datasheet APM2301AAC pdf
(AO3401) (SOT-23
A01x x-date code
| Транзистори | |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип транзистора | MOSFET P-channel |
| Канал | P-channel |
| Максимальна напруга, В | Максимальна напруга стік-витік (VDS): -20 В. |
| Максимальний струм, А | -3,0 А |
| Максимальна потужність розсіювання, Вт | 1.2 Вт |
| Опір сток-витік у відкритому стані, Ом | при VGS = -4.5 В: ≤ 120 мОм. при VGS = -2.5 В: ≤ 150 мОм. |
