IRL3705N || Транзистор N-channel

Транзистор IRL3705N  (TO-220AB) N-channel

Опис

  IRL3705N — це потужний N-канальний HEXFET® Power MOSFET, розроблений за допомогою передової технології обробки для досягнення надзвичайно низького опору каналу на одиницю площі кремнію. Це забезпечує високоефективну роботу та надійність у широкому діапазоні застосувань, таких як джерела живлення, системи керування двигунами та інші промислові електронні пристрої.

Технічна інформація

• Тип транзистора: N-канальний MOSFET
• Максимальний струм (Id) при 25°C: 89 А
• Максимальна напруга (Vds): 55 В
• Опір каналу (Rds(on)): 0,01 Ом при Vgs = 10 В
• Максимальна потужність розсіювання (Pd) при 25°C: 170 Вт
• Напруга затвор-витік (Vgs): ±16 В
• Тип корпусу: TO-220AB
• Максимальна температура переходу (Tj): 175°C

Призначення

  IRL3705N використовується в схемах, що потребують високої ефективності та надійності при роботі з великими струмами та низькими напругами керування. Основні області застосування включають джерела живлення, інвертори, системи керування двигунами та інші промислові додатки.

1. HEXFET MOSFET
2. потужний транзистор
3. низький опір каналу
4. комутація високих струмів
5. джерела живлення
6. керування двигунами
7. інвертори
8. промислові застосування
9. Vds 55 В
10. Id 89 А
11. TO-220AB
12. високоефективний MOSFET
13. Advanced Process Technology
14. 175°C температура роботи
15. Rds(on) 0,01 Ом
16. швидке перемикання
17. енергоефективний транзистор
18. діодне відновлення
19. електричні схеми
20. перетворювач напруги

  IRL3705N MOSFET, потужний HEXFET транзистор, низький опір каналу MOSFET, N-канальний транзистор для джерел живлення, транзистор для керування двигунами, комутація високих струмів
Документація Irl3705 pdf