IRF1010E || MOSFET N-channel TO-220

Польовий транзистор Mosfet IRF1010E 60V 59A 200W  N-channel

Опис :

IRF1010EPbF — це HEXFET Power MOSFET від International Rectifier, що відзначається низьким опором у відкритому стані та швидким перемиканням. Використання передових технологій дозволяє досягти високої ефективності та надійності в різних застосуваннях. Корпус TO-220AB забезпечує низький тепловий опір і є ідеальним для комерційних і промислових застосувань.

Технічна інформація:

• Напруга стік-витік (VDSS): 60 В
• Опір у відкритому стані (RDS(on)): 12 мΩ
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 84 А (при TC = 25 °C)
• Піковий імпульсний струм стоку (IDM): 330 А
• Максимальна розсіювана потужність (PD): 200 Вт (при TC = 25 °C)
• Максимальний заряд затвора (Qg): 130 нКл
• Заряд затвора-стік (Qgs): 28 нКл
• Заряд затвора-витік (Qgd): 44 нКл
• Тепловий опір (Junction-to-Case, RθJC): 0.75 °C/Вт
• Температурний діапазон: від -55 до +175 °C

Призначення:

IRF1010E підходить для високоефективних перетворювачів, моторних приводів, інверторів та інших промислових і комерційних застосувань, де потрібна висока швидкість перемикання та надійність.

  IRF1010E, HEXFET, MOSFET, International Rectifier, низький опір, швидке перемикання, високий струм, комерційні застосування, промислові застосування, TO-220AB, висока потужність, надійність, перетворювач, інвертор.

  IRF1010E MOSFET, HEXFET International Rectifier, низький опір транзистор, швидке перемикання транзистор, високий струм MOSFET, комерційні та промислові застосування, надійний MOSFET, TO-220AB корпус MOSFET.

Документація IRF1010E pdf