CS120N10 A8 || Транзистор TO-220 N-Channel

Опис

   CS120N10 - кремнієвий транзистор N-канального типу (Power MOSFET), виготовлений за технологією Trench. Забезпечує низькі втрати на провідність, високу швидкість комутації та покращену енергію лавинного пробою. Оптимальний вибір для енергоефективних комутаційних схем адаптерів та зарядних пристроїв. Відповідає стандартам RoHS, постачається в корпусі TO-220AB.

Основні характеристики

• Тип транзистора: N-канальний MOSFET.
• Максимальна напруга Drain-Source (VDSS): 100 В.
• Максимальний постійний струм (ID): 120 А.
• Максимальна імпульсна сила струму (IDM): 480 А.
• Опір каналу в режимі включення (RDS(ON)): ≤ 9.5 мОм.
• Заряд затвору (Qg): 108 нК.
• Робочий температурний діапазон: від -55°C до +150°C.
• Корпус: TO-220AB.

Специфікації

 Інструкція

1. Переконайтеся, що транзистор відповідає вимогам напруги та струму вашої схеми.
2. Підключіть контакти (Gate, Source, Drain) відповідно до схеми.
3. Використовуйте радіатор для відведення тепла під час роботи з високими струмами.
4. Захистіть пристрій від статичної електрики під час монтажу.
5. Дотримуйтеся рекомендованих максимальних параметрів для забезпечення довговічності.

   CS120N10 транзистор, потужний MOSFET, низький RDS(ON), N-канальний транзистор, комутаційні схеми, адаптери, зарядні пристрої, високий струм, транзистор TO-220AB, лавинний MOSFET, RoHS, енергоефективні транзистори, напівпровідниковий транзистор.

транзистор CS120N10, N-канальний MOSFET, TO-220AB, потужний транзистор, низький опір RDS(ON), транзистор для адаптерів, енергоефективний транзистор.

MOSFET, IRF3205 характеристики, IRF3205 купити
Datasheet  CS120N10A8 pdf