FQPF13N50C || Mosfet транзистор N-channel TO-220F

FQPF13N60C || 500V*13A*195W*0.48 Ohm TO-220F1 N-channel

Опис
  FQPF13N50C — це потужний N-канальний MOSFET-транзистор з максимальним робочим напруженням 500 В, що призначений для високоефективних імпульсних джерел живлення, корекції коефіцієнта потужності (PFC) та електронних баластів. Завдяки низькому опору у відкритому стані та високій швидкості перемикання, цей транзистор ідеально підходить для застосувань, що потребують мінімальних втрат потужності та високої надійності.

Технічна інформація

• Напруга стік-витік (Vds): 500 В
• Струм стоку (Id) при 25°C: 13 А
• Максимальний імпульсний струм (Idm): 52 А
• Опір у відкритому стані (Rds(on)): 0.48 Ом при Vgs = 10 В
• Заряд затвору (Qg): 43 нКл
• Швидкість перемикання: швидке включення і виключення
• Максимальна розсіювана потужність (Pd): 48 Вт
• Термічний опір (RθJC): 2.58 °C/Вт
• Робоча температура: від -55 до +150 °C

Призначення
  FQPF13N50C використовується у високоефективних джерелах живлення, системах корекції коефіцієнта потужності та в електронних баластах. Його висока стійкість до напруги та швидке перемикання роблять його чудовим вибором для пристроїв, які вимагають стабільної та енергоефективної роботи.

  FQPF13N50C, MOSFET транзистор, N-канальний MOSFET, потужний транзистор 500В, транзистор для PFC, імпульсні джерела живлення, електронні баласти, MOSFET для високої напруги, транзистор з низьким опором.
FQPF13N50C, N-канальний MOSFET 500В, потужний MOSFET транзистор, транзистор для PFC, швидкий MOSFET для живлення

Документація FQPF13N50C pdf