FQPF15N60C || Mosfet транзистор N-channel TO-220F

FQPF15N60C || 600V*15A*280W*0.29 Ohm TO-220F1 N-channel

Опис
  FQPF15N60C - це N-канальний силовий MOSFET транзистор від Unisonic Technologies з робочою напругою 600 В і струмом до 15 А. Завдяки технології планарного стрипа та DMOS, він забезпечує низький опір у ввімкненому стані 0.65 Ом (опір переходу) та високу швидкість перемикання, що робить його ефективним для використання в активних схемах корекції коефіцієнта потужності та імпульсних джерелах живлення.

Технічна інформація

• Тип: N-канальний MOSFET
• Напруга стік-витік (VDSS): 600 В
• Струм стоку (ID): 15 А
• Опір у ввімкненому стані (RDS(ON), опір переходу): 0.65 Ом при VGS=10V
• Напруга затвор-витік (VGSS): ±30 В
• Розсіювання потужності: 38.5 Вт (TO-220F1), 312 Вт (TO-247)
• Швидкість перемикання: висока, покращена здатність dv/dt
• Тип корпусу: TO-220F1

Призначення
  Застосовується для високоефективних імпульсних джерел живлення, активних схем корекції коефіцієнта потужності, а також у схемах з високою енергією імпульсів в режимах лавинного та комутаційного навантаження.

  N-канальний MOSFET, FQPF15N60C, 15А, 600В, силовий транзистор, корекція коефіцієнта потужності, імпульсне джерело живлення, висока швидкість перемикання, RDS(ON) 0.65 Ом, TO-220F1, TO-247, Unisonic Technologies, високоефективний MOSFET, захист від лавинного режиму, низький опір.

  N-канальний MOSFET 15А 600В, FQPF15N60C Unisonic Technologies, силовий транзистор для джерел живлення, висока швидкість перемикання MOSFET, транзистор для корекції коефіцієнта потужності, MOSFET з низьким RDS(ON), FQPF15N60C для активних схем, MOSFET 15А 600В, потужний MOSFET Unisonic Technologies.

Документація FQPF15N60C pdf