Скорочений опис
Польовий транзистор IRF740 400V*10A*125W N-cannel TO-220 Опис: IRF740 - це потужний N-канальний MOSFET-транзистор від Vishay, який забезпечує відмінні характеристики для різних промислових і комерційних застосувань... Читати далі...
Характеристики
Польовий транзистор IRF740 400V*10A*125W N-cannel TO-220
Опис:
IRF740 - це потужний N-канальний MOSFET-транзистор від Vishay, який забезпечує відмінні характеристики для різних промислових і комерційних застосувань. Він забезпечує швидке перемикання, низький опір каналу в увімкненому стані та високу надійність. Корпус TO-220AB робить його ідеальним вибором для додатків з потужністю до 50 Вт.
Технічна інформація:
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 400 В
- Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
- Постійний струм стоку (ID):
- 10 А при температурі корпусу 25°C
- 6.3 А при температурі корпусу 100°C
- Імпульсний струм стоку (IDM): 40 А
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 125 Вт при температурі корпусу 25°C
- Температурний діапазон роботи: від -55°C до +150°C
- Опір каналу в увімкненому стані (RDS(on)): 0.55 Ом при VGS = 10 В
- Заряд затвору (Qg): 63 нКл
- Заряд затвор-витік (Qgs): 9.0 нКл
- Заряд затвор-стік (Qgd): 32 нКл
- Час затримки ввімкнення (td(on)): 14 нс
- Час наростання (tr): 27 нс
- Час затримки вимкнення (td(off)): 50 нс
- Час спадання (tf): 24 нс
- Максимальна енергія одиночного імпульсу (EAS): 520 мДж
- Максимальна повторювана енергія (EAR): 13 мДж
- Максимальна швидкість наростання зворотного відновлення діода (dV/dt): 4.0 В/нс
- Тепловий опір (RθJC): 1.0 °C/Вт (максимум)
- Тепловий опір (RθJA): 62 °C/Вт (максимум)
Електричні характеристики (при температурі переходу 25°C):
- Порогова напруга затвору (VGS(th)): 2.0 - 4.0 В
- Струм витоку стік-витік (IDSS):
- 25 мкА при VDS = 400 В, VGS = 0 В
- 250 мкА при VDS = 320 В, VGS = 0 В, TJ = 125°C
- Струм витоку затвору (IGSS): ±100 нА при VGS = ±20 В
- Напруга на діоді (VSD): 2.0 В при IS = 10 А, VGS = 0 В
- Час зворотного відновлення діода (trr): 370 нс (тип.), 790 нс (макс.)
- Заряд зворотного відновлення діода (Qrr): 3.8 мкКл (тип.), 8.2 мкКл (макс.)
Призначення:
IRF740 використовується в силових схемах, де потрібні високі напруги і струми. Це ідеальний вибір для індустріальних блоків живлення, перетворювачів постійного струму, інверторів та інших додатків, що потребують надійного і ефективного перемикання.
IRF740, N-канальний MOSFET, потужний транзистор, високовольтний транзистор, силовий MOSFET, транзистор TO-220AB, швидке перемикання, Vishay MOSFET, потужний MOSFET-транзистор, транзистор 400В, промисловий транзистор, транзистор для блоків живлення.
IRF740, N-канальний MOSFET, транзистор TO-220AB, потужний MOSFET, Vishay MOSFET, транзистор 400В
Документаці IRF740 pdf
| Транзистори | |
| Корпус | TO-220 |
| Тип транзистора | MOSFET N-channel |
| Канал | N-channel |
| Потужність, Вт | 125 Вт |
| Максимальна напруга, В | 400.0 Вольт |
| Максимальний струм, А | 10.0 А |
| Максимальна потужність розсіювання, Вт | 125 Вт |
| Опір сток-витік у відкритому стані, Ом | 0.55 Ом |

Маршрутизатори
Смарт приставки
Т2 приставки
Пульти керування ДУ











