Інформація
Пошук

IRF740 || MOSFET N-channel TO-220

Виробник(бренд ): Infineon
Код товару: 2300259
Топ

Скорочений опис


Польовий транзистор IRF740 400V*10A*125W N-cannel TO-220 Опис:   IRF740 - це потужний N-канальний MOSFET-транзистор від Vishay, який забезпечує відмінні характеристики для різних промислових і комерційних застосувань... Читати далі...

Характеристики


Корпус - TO-220
Тип транзистора - MOSFET N-channel
Канал - N-channel
Потужність, Вт - 125 Вт
Максимальна напруга, В - 400.0 Вольт
Максимальний струм, А - 10.0 А
Максимальна потужність розсіювання, Вт - 125 Вт
Опір сток-витік у відкритому стані, Ом - 0.55 Ом
Переглянути всі характеристики

54.1 грн.

  • Виробник(бренд ): Infineon
  • Код товару: 2300259
  • Наявність: Очікується 2-3 дня 0


Польовий транзистор IRF740 400V*10A*125W N-cannel TO-220

Опис:
  IRF740 - це потужний N-канальний MOSFET-транзистор від Vishay, який забезпечує відмінні характеристики для різних промислових і комерційних застосувань. Він забезпечує швидке перемикання, низький опір каналу в увімкненому стані та високу надійність. Корпус TO-220AB робить його ідеальним вибором для додатків з потужністю до 50 Вт.

Технічна інформація:

  • Максимальна напруга стік-витік (VDS): 400 В
  • Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
  • Постійний струм стоку (ID):
    • 10 А при температурі корпусу 25°C
    • 6.3 А при температурі корпусу 100°C
  • Імпульсний струм стоку (IDM): 40 А
  • Максимальна потужність розсіювання (PD): 125 Вт при температурі корпусу 25°C
  • Температурний діапазон роботи: від -55°C до +150°C
  • Опір каналу в увімкненому стані (RDS(on)): 0.55 Ом при VGS = 10 В
  • Заряд затвору (Qg): 63 нКл
  • Заряд затвор-витік (Qgs): 9.0 нКл
  • Заряд затвор-стік (Qgd): 32 нКл
  • Час затримки ввімкнення (td(on)): 14 нс
  • Час наростання (tr): 27 нс
  • Час затримки вимкнення (td(off)): 50 нс
  • Час спадання (tf): 24 нс
  • Максимальна енергія одиночного імпульсу (EAS): 520 мДж
  • Максимальна повторювана енергія (EAR): 13 мДж
  • Максимальна швидкість наростання зворотного відновлення діода (dV/dt): 4.0 В/нс
  • Тепловий опір (RθJC): 1.0 °C/Вт (максимум)
  • Тепловий опір (RθJA): 62 °C/Вт (максимум)

Електричні характеристики (при температурі переходу 25°C):

  • Порогова напруга затвору (VGS(th)): 2.0 - 4.0 В
  • Струм витоку стік-витік (IDSS):
    • 25 мкА при VDS = 400 В, VGS = 0 В
    • 250 мкА при VDS = 320 В, VGS = 0 В, TJ = 125°C
  • Струм витоку затвору (IGSS): ±100 нА при VGS = ±20 В
  • Напруга на діоді (VSD): 2.0 В при IS = 10 А, VGS = 0 В
  • Час зворотного відновлення діода (trr): 370 нс (тип.), 790 нс (макс.)
  • Заряд зворотного відновлення діода (Qrr): 3.8 мкКл (тип.), 8.2 мкКл (макс.)

Призначення:
  IRF740 використовується в силових схемах, де потрібні високі напруги і струми. Це ідеальний вибір для індустріальних блоків живлення, перетворювачів постійного струму, інверторів та інших додатків, що потребують надійного і ефективного перемикання.

  IRF740, N-канальний MOSFET, потужний транзистор, високовольтний транзистор, силовий MOSFET, транзистор TO-220AB, швидке перемикання, Vishay MOSFET, потужний MOSFET-транзистор, транзистор 400В, промисловий транзистор, транзистор для блоків живлення.

  IRF740, N-канальний MOSFET, транзистор TO-220AB, потужний MOSFET, Vishay MOSFET, транзистор 400В


Документаці IRF740 pdf

Транзистори
Корпус TO-220
Тип транзистора MOSFET N-channel
Канал N-channel
Потужність, Вт 125 Вт
Максимальна напруга, В 400.0 Вольт
Максимальний струм, А 10.0 А
Максимальна потужність розсіювання, Вт 125 Вт
Опір сток-витік у відкритому стані, Ом 0.55 Ом

Написати відгук

Будьласка авторизуйтесь або зареєструйтеся для перегляду
Рекомендовані товари