Скорочений опис
Транзистор S10H12R || TO-220 N-Channel – Високопродуктивний MOSFET для потужних електронних пристроїв Опис Транзистор S10H12R - високопродуктивний N-Channel MOSFET у корпусі TO-220, призначений для застосувань у п... Читати далі...
Характеристики
Транзистор S10H12R || TO-220 N-Channel – Високопродуктивний MOSFET для потужних електронних пристроїв
Опис
Транзистор S10H12R - високопродуктивний N-Channel MOSFET у корпусі TO-220, призначений для застосувань у потужних електронних системах, таких як DC-DC перетворювачі та автомобільні електронні пристрої.
Основні характеристики
- Тип транзистора: N-Channel Power MOSFET
- Напруга Drain-Source (VDSS): 100 V
- Максимальний струм (ID): 120 A при температурі 25°C, 76 A при температурі 100°C
- Опір Drain-Source (RDS(on)): 6.5 мΩ при Vgs = 10 V та ID = 40 A
- Пульсуючий Drain-Current (IDM): 480 A
- Максимальна потужність розсіювання (PD): 223 W при TC = 25°C
- Температурний діапазон експлуатації (TJ): від -55°C до +150°C
Специфікація:
| Параметр | Значення | Одиниця |
|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 100 | V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 | A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 480 | A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±25 | V |
| Single Pulsed Avalanche Energy (EAS) | 462 | mJ |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 223 | W |
| Thermal Resistance (Rth j-c) | 0.56 | °C/W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4 - 3.6 | V |
| Total Gate Charge (Qg) | 112 | nC |
Інструкція
- Монтаж: Транзистор S10H12R має корпус TO-220, що дозволяє його легко монтувати в електронних схемах. Підключіть Drain (D), Source (S) та Gate (G) згідно з маркуванням на корпусі.
- Робочі умови: Забезпечте правильний температурний режим для нормальної роботи транзистора, максимальна температура корпусу — 150°C.
- Тестування: Перевіряйте температуру та потужність розсіювання, щоб уникнути перегріву.
N-Channel MOSFET, транзистор TO-220, S10H12R транзистор, транзистор для перетворювачів DC-DC, автомобільна електроніка, MOSFET для управління двигунами, високопотужний транзистор, MOSFET для електронних пристроїв, транзистор 100V, транзистор 120A
MOSFET S10H12R, N-Channel Power MOSFET, транзистор для автомобільної електроніки, транзистор для управління двигунами, S10H12R TO-220, високий струм MOSFET, транзистор для перетворювачів DC-DC
Datasheet S10H12R pdf
| Транзистори | |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип транзистора | MOSFET |
| Канал | N-channel |
| Потужність, Вт | Ptot (макс.): 1.25 Вт |
| Максимальна напруга, В | VDS (макс.): 20 В |
| Максимальний струм, А | ID (макс.): 2.0 А |
| Опір сток-витік у відкритому стані, Ом | 0,25 Ом |
