RJK03M5DNS || MOSFET N-channel HWSON-8

  RJK03M5DNS - силовий MOSFET транзистор типу N-канал, спеціально розроблений для застосувань у високошвидкісних системах комутації. Завдяки низькому опору каналу (RDS(on) = 5.2 мОм при VGS = 10 В) і високій продуктивності, транзистор забезпечує високу ефективність роботи в джерелах живлення, інверторах і системах управління двигунами. RJK03M5DNS виготовлений у компактному корпусі HWSON-8, що ідеально підходить для високощільного монтажу.

Основні характеристики

• Тип компонента: Силовий MOSFET (N-канал).
• Корпус: HWSON-8.
• Напруга пробою (VDSS): 30 В.
• Максимальний струм (ID): 25 А.
• Опір каналу (RDS(on)):
  • 5.2 мОм при VGS = 10 В.
  • 6.4 мОм при VGS = 4.5 В.
• Максимальна потужність розсіювання (Pch): 15 Вт.
• Температурний діапазон: від -55°C до +150°C.

Специфікації

Інструкція з використання

1. Підключення: Забезпечте правильне підключення виводів: Source, Drain та Gate згідно з типовою схемою.
2. Напруга затвора: Подавайте напругу в межах 4.5–10 В для оптимальної роботи.
3. Розсіювання тепла: Використовуйте радіатор або термопідкладку для забезпечення ефективного охолодження.
4. Захист: Забезпечте захист від перенапруги та короткого замикання для надійної роботи транзистора.

RJK03M5DNS, силовий MOSFET, HWSON-8, низький опір каналу, транзистор для комутації, високошвидкісний транзистор, MOSFET для джерел живлення.

RJK03M5DNS, силовий MOSFET HWSON-8, транзистор N-канал, низький RDS(on) MOSFET, транзистор для інверторів, MOSFET для комутації.

Datasheet RJK03M5DNS pdf
Кодування: 5J