IRLB4132P || Транзистор N-channel TO-220

Опис

   IRLB4132PbF –  HEXFET® Power MOSFET, оптимізований для використання в UPS, інверторах та низьковольтних електроінструментах. Він має дуже низький опір RDS(on), що забезпечує високу ефективність роботи. MOSFET виконаний у корпусі TO-220AB, що сприяє ефективному охолодженню.

   Його основними перевагами є ультранизький імпеданс затвора, повна характеристика лавинної напруги та струму, а також відповідність стандарту RoHS.

Основні характеристики

• Технологія: HEXFET® Power MOSFET

• Тип переходу: N-канальний збагачений MOSFET

• Корпус: TO-220AB

• Напруга стік-витік (VDS): 30 В

• Максимальний струм (ID): 150 А (кремнієве обмеження), 78 А (обмеження корпусу)

• Максимальний імпульсний струм (IDM): 620 А

• RDS(on) (при VGS = 10V): 3.5 мОм

• Максимальна розсіювана потужність (PD @ TC = 25°C): 140 Вт

• Діапазон робочих температур: -55°C до +175°C

• Сумісність: RoHS, безсвинцевий

Специфікації

Застосування

• Джерела безперебійного живлення (UPS)

• Інвертори

• Низьковольтні електроінструменти

• Імпульсні джерела живлення

• Потужні драйвери двигунів

   IRLB4132PbF, MOSFET IRLB4132PbF, HEXFET MOSFET 30V, силовий транзистор 150A, транзистор для інверторів, MOSFET для UPS, купити IRLB4132PbF, силовий MOSFET TO-220AB, транзистор низької напруги, HEXFET Power MOSFET

   купити IRLB4132PbF, MOSFET IRLB4132PbF ціна, HEXFET транзистор 150A, транзистор для UPS, MOSFET для інверторів, низькоомний MOSFET, потужний MOSFET 30V, силовий транзистор для інвертора

Datasheet IRLB4132PbF pdf