IRF540N || MOSFET N-channel TO-220

Польовий транзистор IRF540N || MOSFET N-channel TO-220

Опис продукту:

   IRF540 — це третє покоління Power MOSFET від Vishay, яке поєднує швидке перемикання, міцний дизайн, низький опір у відкритому стані та економічність. Корпус TO-220, який використовується для цього транзистора, є універсальним і підходить для всіх комерційно-промислових застосувань на рівнях розсіювання потужності до 50 Вт. Завдяки низькому тепловому опору та низькій вартості корпусу, TO-220 широко використовується в індустрії.

Технічна інформація:

• Напруга стік-витік (VDS): 100 В
• Опір у відкритому стані (RDS(on)) при VGS = 10 В: 0.077 Ω
• Максимальний заряд затвора (Qg): 72 нКл
• Заряд затвора-стік (Qgs): 11 нКл
• Заряд затвора-витік (Qgd): 32 нКл
• Максимальний постійний струм стоку (ID): 28 А (при TC = 25 °C)
• Піковий імпульсний струм стоку (IDM): 110 А
• Максимальна розсіювана потужність (PD): 150 Вт (при TC = 25 °C)
• Тепловий опір (Junction-to-Case, RthJC): 1.0 °C/Вт
• Температурний діапазон: від -55 до +175 °C

Призначення:

IRF540 ідеально підходить для використання в високоефективних перетворювачах, моторних приводах, інверторах та інших промислових і комерційних застосуваннях, де потрібна висока швидкість перемикання та надійність.

  IRF540, MOSFET, транзистор, Power MOSFET, Vishay, SiHF540, низький опір, швидке перемикання, високий струм, комерційні застосування, промислові застосування, TO-220, висока потужність, надійність, перетворювач, інвертор.

  IRF540 транзистор, Power MOSFET Vishay, SiHF540 MOSFET, висока потужність транзистор, швидке перемикання транзистор, низький опір транзистор, високий струм MOSFET, комерційні та промислові застосування, надійний MOSFET, TO-220 корпус MOSFET.

Документація IRF540 pdf