Скорочений опис
HUF76429 || N-канальний MOSFET 60В 20А TO-252 — логічного рівня, низький rDS(ON) Опис Транзистор HUF76429 - потужний N-канальний MOSFET із логічним рівнем керування (Logic Level) серії UltraFET®, призначений д... Читати далі...
Характеристики
- Код товару: 6505391
- Наявність: На складі 5
HUF76429 || N-канальний MOSFET 60В 20А TO-252 — логічного рівня, низький rDS(ON)
Опис
Транзистор HUF76429 - потужний N-канальний MOSFET із логічним рівнем керування (Logic Level) серії UltraFET®, призначений для комутації та керування високими струмами до 20 А при напрузі до 60 В. Завдяки наднизькому опору у відкритому стані (до 0,023 Ом) та швидкому перемиканню, ідеально підходить для застосування у джерелах живлення, драйверах двигунів, перетворювачах та імпульсних схемах. Виконаний у корпусі TO-252, має високу щільність потужності та хорошу тепловіддачу.
Основні характеристики
- Тип транзистора: N-канальний MOSFET
- Серія: UltraFET®
- Напруга стік-витік (Vds): 60 В
- Струм стоку: до 20 А (безперервний)
- Опір у відкритому стані (rDS(on)):
- 0,023 Ом при Vgs = 10 В
- 0,027 Ом при Vgs = 5 В
- Тип керування: логічний рівень (Logic Level)
- Швидке перемикання:
- Затримка включення: 7,7 нс
- Час наростання: 36 нс
- Затримка вимкнення: 60 нс
- Корпус: TO-252 (SMD)
- Температурний діапазон: -55…+175 °C
- Максимальна потужність розсіювання: 110 Вт
- Надійність: сертифікація ISO9000, QS9000
Специфікації
| Характеристика | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id | до 20 А |
| Опір rDS(on) @ 10В | 0,023 Ом |
| Опір rDS(on) @ 5В | 0,027 Ом |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл (типове) |
| Напруга Vgs | ±16 В |
| Корпус | TO-252 |
| Тепловий опір корпус-кристал | 1,36 °C/Вт |
| Розсіювана потужність | 110 Вт |
| Температурний діапазон | -55…+175 °C |
| Час включення (Vgs = 10 В) | 65 нс |
| Час виключення (Vgs = 10 В) | 175 нс |
Інструкція
- Встановіть транзистор у відповідний майданчик SMD (корпус TO-252) згідно полярності: Gate (затвор), Drain (стік), Source (витік).
- Переконайтесь, що тепло відводиться з корпусу (фланця) належним чином.
- Подайте сигнал керування логічного рівня на затвор (від 4,5 В до 10 В).
- Підключіть навантаження до стоку, а витік — до загального провідника.
- Забезпечте тепловий відвід при струмах понад 10 А.
HUF76429, MOSFET 60V 20A, транзистор логічного рівня, UltraFET транзистор, потужний MOSFET, транзистор TO-252, N-канал MOSFET, транзистор SMD, HUF76429D3S, комутаційний транзистор, драйвер двигуна MOSFET, силовий транзистор, швидкий MOSFET, низький rDSon, польовий транзистор, mosfet на 20А, транзистор для джерел живлення, транзистор для перетворювача, транзистор для імпульсного блоку, транзистор з логічним входом
транзистор HUF76429, MOSFET 60V 20A, силовий транзистор TO-252, купити MOSFET HUF76429, польовий транзистор логічного рівня, UltraFET транзистор
Datasheet HUF76429 pdf
| Транзистори | |
| Корпус | TO-252 DPAK |
| Тип транзистора | MOSFET N-channel |
| Канал | N-channel |
| Потужність, Вт | 110 Вт |
| Максимальна напруга, В | 60 В |
| Максимальний струм, А | 20 А |
| Максимальна потужність розсіювання, Вт | 110 Вт |
| Опір сток-витік у відкритому стані, Ом | 0,027 Ом |
