FQPF4N60C || Транзистор MOSFET TO-220F N-channel

Транзистор MOSFET FQPF4N60C (600V*2.6A*36W) N-channel TO-220F
datasheet  FQPF4N60C.pdf
Опис товару: FQPF4N60

  FQPF4N60 - N-канальний MOSFET транзистор із робочою напругою 600 В, розроблений для високоефективних схем комутації у джерелах живлення, інверторах і імпульсних схемах. Завдяки низькому опору каналу та високій швидкості перемикання, цей транзистор забезпечує стабільну роботу навіть при великих навантаженнях.

Основні характеристики

1. Тип транзистора: N-канальний MOSFET.
2. Максимальна напруга між стоком і витоком (VDSS): 600 В.
3. Максимальний струм стоку (ID):
   • Постійний: 2.6 А (при TC = 25°C).
   • Піковий: 10.4 А.
4. Опір каналу в стані увімкнення (RDS(on)): 2.2 Ом при VGS = 10 В.
5. Номінальна потужність розсіювання (PD): 36 Вт при TC = 25°C.
6. Температурний діапазон: від -55°C до +150°C.
7. Швидкість перемикання:
   • Затримка ввімкнення (td(on)): 13 нс.
   • Затримка вимкнення (td(off)): 25 нс.

Особливості

• Висока напруга пробою (600 В).
• Низький заряд затвора (15 нКл) для зниження втрат енергії.
• Швидке перемикання завдяки мінімальній паразитній ємності.
• Висока стійкість до лавинного пробою та електричних імпульсів.
• Захист від перевантажень і теплових стресів.

Призначення

• Джерела живлення (SMPS).
• Інвертори.
• Комутаційні схеми.
• Контроль двигунів.
• Освітлювальні прилади з високою напругою.

Технічні специфікації

Інструкція з монтажу

1. Забезпечте належне охолодження транзистора для уникнення перегріву.
2. Підключіть виводи транзистора (затвор, стік, витік) відповідно до схеми.
3. Не перевищуйте граничних значень напруги та струму.
4. Використовуйте RC-фільтри для зниження електромагнітних перешкод.

  FQPF4N60, 600В MOSFET, N-канальний транзистор, транзистори для джерел живлення, транзистор TO-220F, високовольтний транзистор, транзистори для інверторів.

FQPF4N60, купити FQPF4N60, N-канальний MOSFET 600 В, транзистори TO-220F, силові транзистори, транзистори для інверторів.