CEP83A3 || TO-220 30Vx100A N-Channel

Транзистор CEP83A3 TO-220

Опис та технічні характеристики CEP83A3/CEB83A3

Загальний опис

  CEP83A3 є N-канальним транзистором з покращеним режимом збагачення (Enhancement Mode Field Effect Transistor). Завдяки високій щільності осередків цей транзистор забезпечує надзвичайно низький опір стоку-витоку (RDS(ON)) і високу потужність та здатність до обробки струму. Доступний у корпусах TO-220 та TO-263, цей транзистор ідеально підходить для застосувань з високими вимогами до потужності та струму.

Технічні характеристики

• Вхідна напруга стоку (VDS): 30 В
• Вхідна напруга затвора (VGS): ±20 В
• Безперервний струм стоку (ID): 100 А
• Пульсовий струм стоку (IDM): 400 А
• Максимальна потужність розсіювання (PD): 100 Вт (при Tc = 25°C)
• Тепловий опір:
  • Junction-to-Case (RθJC): 1.5 °C/W
  • Junction-to-Ambient (RθJA): 62.5 °C/W
• Опір стоку-витоку (RDS(ON)):
  • @VGS = 10 В: 5.3 мΩ
  • @VGS = 4.5 В: 8.0 мΩ
• Тривалість одиничного імпульсу лавинного струму (IAS): 35 А
• Енергія одиничного імпульсу лавинної струму (EAS): 875 мДж
• Температурний діапазон експлуатації та зберігання (TJ, Tstg): -55°C до 175°C

Функціональний опис

    CEP83A3 має високоефективну конструкцію з низьким опором RDS(ON), що забезпечує мінімальні втрати потужності та високу ефективність роботи. Вбудована можливість обробки високих струмів та потужностей робить цей транзистор ідеальним для різних застосувань, включаючи джерела живлення та інші високопотужні схеми.

Аналогічний продукт  CEB83A3
Документація польовий транзистор CEP83A3 pdf