STP55NF06 || 60V*55A*95W TO-220 N-CANNEL

STP55NF06 (60V*55A*95W) (TO-220) N-CANNEL

Опис:
  STB55NF06 - це N-канальний потужний MOSFET транзистор, виготовлений за технологією STripFET™ II від STMicroelectronics. Цей транзистор має низький опір каналу в увімкненому стані (RDS(on)), що дозволяє ефективно використовувати його в додатках, що потребують високої потужності та надійності. Випускається в різних корпусах, таких як D²PAK, TO-220 та TO-220FP.

Технічна інформація:

• Тип транзистора: N-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
• Опір каналу в увімкненому стані (RDS(on)): 0.015 Ом при VGS = 10 В, ID = 27.5 A
• Максимальний струм стоку (ID):
  • 50 А при температурі корпусу 25°C
  • 35 А при температурі корпусу 100°C
• Імпульсний струм стоку (IDM): 200 А
• Максимальна потужність розсіювання (Ptot):
  • 110 Вт (корпус TO-220, D²PAK)
  • 30 Вт (корпус TO-220FP)
• Заряд затвору (Qg): 44.5 нКл
• Заряд затвор-витік (Qgs): 10.5 нКл
• Заряд затвор-стік (Qgd): 17.5 нКл
• Час затримки ввімкнення (td(on)): 20 нс
• Час наростання (tr): 15 нс
• Час затримки вимкнення (td(off)): 50 нс
• Час спадання (tf): 36 нс
• Вхідна ємність (Ciss): 1300 пФ
• Вихідна ємність (Coss): 300 пФ
• Зворотна ємність передачі (Crss): 105 пФ
• Температурний діапазон роботи: від -55°C до +175°C

Призначення:
   STB55NF06 підходить для використання в різних комутаційних додатках, включаючи високоефективні DC-DC перетворювачі для телекомунікаційних і комп'ютерних систем. Транзистор також може використовуватись в додатках, де важлива низька ємність затвору і високі швидкості перемикання.

  STB55NF06, N-канальний MOSFET, транзистор 60 В, потужний MOSFET, STripFET II, STMicroelectronics, комутаційний транзистор, низький опір каналу, MOSFET в корпусі TO-220, MOSFET в корпусі D²PAK

  STB55NF06, N-канальний MOSFET, потужний транзистор 60 В, STMicroelectronics, комутаційний MOSFET, STripFET II, транзистор в корпусі TO-220

Документація STP55NF06 pdf