STD16NE10L || Транзистор TO-252 N-channel

STD16NE10L TO-252 N-канал 16A 100V 55W

  STD16NE10L – це n-канальний MOSFET транзистор від STMicroelectronics з напругою 100 В і струмом до 16 А у корпусі DPAK. Завдяки низькому опору у ввімкненому стані (0.07 Ом) та високій стійкості до лавинних режимів, він підходить для застосувань, що потребують високої швидкості комутації і здатності до роботи при високих струмах. Технологія STripFET забезпечує зниження енергоспоживання і високий рівень надійності.

Технічна інформація

• Напруга сток-витік (VDS): 100 В
• Опір у ввімкненому стані (RDS(on)): ≤ 0.1 Ом
• Струм стоку (ID): 16 А при 25°C
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 64 А
• Напруга затвор-емітер (VGS): ±20 В
• Загальна потужність розсіювання (PTOT): 55 Вт
• Температура переходу (Tj): -65°C до 175°C
• Заряд затвора (Qg): 24 нКл при 80 В
• Час увімкнення/вимкнення: 40 нс / 45 нс

Призначення
  Цей MOSFET використовується у високошвидкісних комутаційних застосуваннях, зокрема в драйверах соленоїдів і реле, а також у DC-DC та DC-AC перетворювачах. Ідеально підходить для автомобільної електроніки та інших застосувань з високим струмом.

 
  MOSFET, n-канальний транзистор, 100 В, 16 А, DPAK, STD16NE10L, STripFET, високошвидкісний транзистор, комутаційний транзистор, низький заряд затвора, STMicroelectronics, реле, перетворювач, автомобільна електроніка, стабільність, надійність.

 STD16NE10L n-канальний MOSFET 100 В 16 А, комутаційний MOSFET STD16NE10L, високошвидкісний MOSFET, STD16NE10L для перетворювачів, STMicroelectronics STD16NE10L, STripFET MOSFET 100 В

Документаці STD16NE10L pdf
Аналогічний продукт ST16N10