SGH80N60UF ||Транзистор IGBT TO-3PN

Транзистор SGH80N60UF 600V 40A 195W  TO-3PN

Опис

  IGBT транзистор SGH80N60UF від Fairchild Semiconductor забезпечує низькі втрати при проведенні та комутації. Цей транзистор призначений для використання в системах керування двигунами, інверторах загального призначення, робототехніці та сервоприводах, де потрібна висока швидкість комутації.

Технічна інформація

• Тип транзистора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Максимальна напруга колектор-емітер (VCES): 600 В
• Максимальна напруга затвор-емітер (VGES): ±20 В
• Максимальний струм колектора при 25°C (IC): 80 А
• Максимальний струм колектора при 100°C (IC): 40 А
• Імпульсний струм колектора (ICM): 220 А
• Сила струму діода при 100°C (IF): 25 А
• Максимальна потужність розсіювання при 25°C (PD): 195 Вт
• Максимальна температура з'єднання (TJ): -55°C до +150°C
• Термальний опір (RθJC): 0.64 °C/Вт

Призначення

  SGH80N60UF ідеально підходить для застосування в AC та DC системах керування двигунами, загального призначення інверторах, робототехніці та сервоприводах, де потрібна висока швидкість комутації.

  IGBT транзистор, SGH80N60UF, Fairchild Semiconductor, керування двигунами, інвертор, високошвидкісна комутація, потужний транзистор, низькі втрати, AC двигуни, DC двигуни, робототехніка, сервоприводи, VCES 600 В, струм колектора 80 А, термальний опір 0.64 °C/Вт, електричні схеми, силова електроніка, промислові додатки, енергоефективні компоненти, силові транзистори.

  IGBT транзистор SGH80N60UF, потужний IGBT транзистор, низькі втрати при комутації, транзистор для керування двигунами, промисловий IGBT транзистор, високошвидкісний транзистор.

Документація SGH80N60UF pdf