Скорочений опис
PESD5V0S2BT || SOT23-3 Опис товару: PESD5V0U2BT PESD5V0U2BT — це ультранизькоємний двонаправлений захисний діод від електростатичних розрядів (ESD) у компактному пластиковому корпусі SOT23 (TO-236AB). Він забезп... Читати далі...
Характеристики
PESD5V0S2BT || SOT23-3
Опис товару: PESD5V0U2BT
PESD5V0U2BT — це ультранизькоємний двонаправлений захисний діод від електростатичних розрядів (ESD) у компактному пластиковому корпусі SOT23 (TO-236AB). Він забезпечує надійний захист двох ліній передачі даних від пошкодження, викликаного ESD, і розроблений для застосувань у високошвидкісних цифрових та аналогових схемах.
Основні характеристики
- Тип діода: Двонаправлений захисний діод.
- Робоча напруга (VRWM): до 5 В.
- Максимальна напруга пробою (VBR): від 5.5 до 9.5 В.
- Ємність діода (Cd):
- 2.9 пФ (типове значення) при VR = 0 В.
- 1.9 пФ при VR = 5 В.
- Максимальний зворотний струм (IRM): 5–100 нА при VRWM = 5 В.
- Захист від ESD:
- До ±10 кВ за стандартом IEC 61000-4-2.
- До ±8 кВ за стандартом MIL-STD-883.
- Температурний діапазон: від -65°C до +150°C.
Особливості
- Ультранизька ємність, що робить діод ідеальним для високошвидкісних ліній передачі даних.
- Двонаправлений захист для підтримки позитивної та негативної полярності сигналів.
- Компактний корпус SOT23 для зручності монтажу на друковані плати.
- Захист до 10 кВ за стандартами IEC.
- Мінімальний зворотний струм, що знижує енергоспоживання.
Призначення
- Захист високошвидкісних інтерфейсів, таких як USB, Ethernet, HDMI, FireWire.
- Захист портативної електроніки, включаючи мобільні пристрої та SIM-карти.
- Використання в аудіо- та відеоустаткуванні, комп'ютерах і периферійних пристроях.
- Захист комунікаційних систем і локальних мереж (LAN).
Технічні специфікації
| Параметр | Мінімальне значення | Типове значення | Максимальне значення | Одиниця виміру |
|---|---|---|---|---|
| Робоча напруга (VRWM) | — | — | 5 | В |
| Ємність діода (Cd) | — | 2.9 | 3.5 | пФ |
| Максимальний зворотний струм (IRM) | — | 5 | 100 | нА |
| Напруга пробою (VBR) | 5.5 | 7 | 9.5 | В |
| Захист від ESD (контакт) | — | — | 10 | кВ |
Інструкція з монтажу
- Встановіть діод якнайближче до входу або з'єднання для максимального захисту.
- Мінімізуйте довжину провідника між діодом і захищеною лінією.
- Уникайте паралельного розміщення захищених і незахищених провідників.
- Використовуйте суцільні або багатошарові друковані плати з належним заземленням для ефективного захисту.
двонаправлений ESD-діод, PESD5V0U2BT, захист високошвидкісних ліній, ESD-діоди NXP, ультранизькоємні діоди, діоди в SOT23.
PESD5V0U2BT, ESD захисний діод, низькоємний діод для LAN, USB захист, двонаправлені діоди SOT23.
PESD5V0U2BT
Аналоги : ZC199-02SPR7G
Документація PESD5V0U2BT pdf
| Транзистори | |
| Корпус | SOT23-3 |
| Тип транзистора | Двонаправлений стабілітрон |
| Канал | NXP |
