Інформація
Пошук

IRLML6402 || Транзистор P-channel

Виробник(бренд ): Infineon
Код товару: 6505223

Скорочений опис


Транзистор MOSFET P-Channel IRLML6402 SOT-23 1EMK Опис    IRLML6402 - P-канальний MOSFET-транзистор у компактному корпусі SOT-23 (Micro3™), призначений для комутації живлення, керування навантаженнями, захисту а... Читати далі...

Характеристики


Корпус - SOT-23
Тип транзистора - MOSFET
Канал - P-channel
Потужність, Вт - Ptot (макс.): 1.3 Вт
Максимальна напруга, В - VDS (макс.): -20 В
Максимальний струм, А - ID (макс.): 2.2 А
Опір сток-витік у відкритому стані, Ом - 0,065 Ом
Переглянути всі характеристики

7.0 грн.

  • Виробник(бренд ): Infineon
  • Код товару: 6505223
  • Наявність: Очікується 2-3 дня 0


Транзистор MOSFET P-Channel IRLML6402 SOT-23

1EMK

Опис

   IRLML6402 - P-канальний MOSFET-транзистор у компактному корпусі SOT-23 (Micro3™), призначений для комутації живлення, керування навантаженнями, захисту акумуляторів та енергоефективних портативних пристроїв. Транзистор відзначається низьким опором відкритого каналу, високою швидкодією та можливістю безпосереднього керування від логічних рівнів напруги.

Основні характеристики

  • Тип транзистора: P-Channel MOSFET
  • Корпус: SOT-23 (Micro3™)
  • Максимальна напруга стік-витік (VDS): -20 В
  • Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±12 В
  • Максимальний безперервний струм стоку: -3,7 А (при 25°C)
  • Максимальний безперервний струм стоку: -2,2 А (при 70°C)
  • Імпульсний струм стоку (IDM): -22 А
  • Опір відкритого каналу RDS(on):
    • 0,065 Ом при VGS = -4,5 В
    • 0,135 Ом при VGS = -2,5 В
  • Порогова напруга затвора VGS(th): від -0,4 В до -1,2 В
  • Розсіювана потужність: до 1,3 Вт
  • Швидке перемикання
  • Безсвинцеве виконання (RoHS)
  • Робоча температура переходу: від -55°C до +150°C

Специфікація

Параметр Значення
Маркування IRLML6402
Тип P-Channel MOSFET
Корпус SOT-23 (Micro3™)
VDS -20 В
VGS ±12 В
ID (25°C) -3,7 А
ID (70°C) -2,2 А
IDM -22 А
RDS(on) @ -4.5V 0,065 Ом
RDS(on) @ -2.5V 0,135 Ом
Потужність розсіювання 1,3 Вт
Порогова напруга затвора -0,4...-1,2 В
Загальний заряд затвора Qg 12 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss 633 пФ
Робоча температура -55...+150°C
Монтаж SMD
Відповідність RoHS Так

Інструкція

  • Переконайтеся, що напруга стік-витік не перевищує -20 В.
  • Підключіть виводи відповідно до схеми: Gate (G), Source (S), Drain (D).
  • Для мінімального опору каналу рекомендується керуюча напруга затвора близько -4,5 В.
  • При роботі з великими струмами забезпечте достатнє тепловідведення через друковану плату.
  • Уникайте перевищення допустимої напруги затвор-витік ±12 В.
  • Перед монтажем дотримуйтеся правил захисту від статичної електрики (ESD).

Ключові фрази

    IRLML6402, транзистор IRLML6402, MOSFET IRLML6402, P channel MOSFET, IRLML6402 SOT23, IRLML6402 SMD, польовий транзистор IRLML6402, MOSFET -20V 3.7A, транзистор для живлення акумулятора, P MOSFET SOT23, логічний MOSFET, транзистор для DC DC перетворювача, MOSFET для керування навантаженням, транзистор для портативної електроніки, IRLML6402PbF, транзистор для захисту батареї, транзистор для power management, MOSFET низький RDSon, транзистор поверхневого монтажу, P-канальний MOSFET

  IRLML6402 datasheet, IRLML6402 характеристики, IRLML6402 SOT23, P channel MOSFET transistor, MOSFET -20V, MOSFET 3.7A, транзистор SMD, польовий транзистор P канальний, MOSFET для батареї, MOSFET для роутерів, транзистор для живлення, MOSFET low RDSon, транзистор для зарядних пристроїв, power MOSFET SOT23, логічний MOSFET транзистор, IRLML6402PbF, MOSFET для DC DC, P-channel transistor, MOSFET для портативних пристроїв, транзистор для електроніки
Документація IRLML6402 pdf

Транзистори
Корпус SOT-23
Тип транзистора MOSFET
Канал P-channel
Потужність, Вт Ptot (макс.): 1.3 Вт
Максимальна напруга, В VDS (макс.): -20 В
Максимальний струм, А ID (макс.): 2.2 А
Опір сток-витік у відкритому стані, Ом 0,065 Ом

Написати відгук

Будьласка авторизуйтесь або зареєструйтеся для перегляду
Рекомендовані товари