FDV301N || Mosfet n-cannel

FDV301N ||  25V*0.5A*0.35W  SOT-23-3 n-cannel

Опис товару: FDV301N

  FDV301N - N-канальний польовий транзистор (Digital FET) із низьким рівнем керуючої напруги, спеціально розроблений для роботи у низьковольтних схемах. Завдяки високій щільності елементів та мінімальному опору у ввімкненому стані, цей транзистор ідеально підходить для заміни кількох цифрових транзисторів у мікросхемах.

Основні характеристики

1. Тип транзистора: N-канальний MOSFET.
2. Напруга пробою Drain-Source (VDSS): 25 В.
3. Максимальний струм Drain (ID): 0,22 А (постійний), 0,5 А (піковий).
4. Опір у ввімкненому стані (RDS(on)):
   • 5 Ом при VGS = 2,7 В.
   • 4 Ом при VGS = 4,5 В.
5. Потужність розсіювання (PD): 0,35 Вт.
6. Робочий температурний діапазон: від -55°C до +150°C.
7. Електростатична міцність (ESD): до 6 кВ (Human Body Model).
8. Корпус: SOT-23.

Специфікації

Особливості

• Висока швидкість перемикання: ідеально для цифрових схем.
• Замінює кілька цифрових транзисторів: завдяки низькому опору та відсутності необхідності у резисторах.
• Захист від електростатичних розрядів (ESD): до 6 кВ.
• Простота використання: працює при низькій напрузі затвору (VGS).
• Компактний корпус: для використання в обмеженому просторі.

Інструкція по використанню

1. Перевірте відповідність напруги та струму у вашій схемі характеристикам транзистора.
2. Забезпечте правильне підключення висновків (Drain, Source, Gate).
3. Використовуйте в умовах низької напруги для досягнення оптимальних характеристик.
4. Захистіть схему від перевищення максимально допустимих параметрів.

транзистор FDV301N, N-канальний MOSFET, Digital FET, транзистори для низьковольтних схем, транзистор SOT-23, польові транзистори для цифрових схем.

транзистор FDV301N, купити FDV301N, N-канальний FET, транзистор SOT-23, MOSFET для низьковольтних схем, Digital FET для цифрових схем.

Документація fdv301n pdf