2SK3878 ||Транзистор TO-3P N-Channel

Транзистор 2SK3878
Опис

  2SK3878 – це N-канальний польовий транзистор (MOSFET) високої напруги від Toshiba, що використовує передову технологію π-MOSIV. Призначений для роботи в схемах комутації, імпульсних регуляторах напруги, інверторах та промисловій електроніці. Відзначається низьким опором у відкритому стані (RDS(on)) – лише 1.0 Ом (типове значення), швидким перемиканням, стійкістю до високих напруг і струмів, а також ефективним тепловідведенням завдяки продуманій конструкції. 2SK3878 – це оптимальне рішення для задач з високими вимогами до енергоефективності та продуктивності.

Основні характеристики

• Тип транзистора: N-канальний MOSFET.
• Технологія виробництва: π-MOSIV.
• Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 900 В.
• Струм стоку:
  • Постійний (ID): до 9 А.
  • Імпульсний (IDP): до 27 А.
• Опір у відкритому стані (RDS(on)): 1.0 Ом (типове значення).
• Потужність розсіювання (PD): до 150 Вт.
• Напруга затвор-витік (VGSS): ±30 В.
• Швидкість перемикання:
  • Час увімкнення (ton): 65 нс.
  • Час вимкнення (toff): 120 нс.
• Ємності:
  • Вхідна (Ciss): 2200 пФ.
  • Вихідна (Coss): 190 пФ.
• Температура:
  • Робоча: -55°C … +150°C.
  • Максимальна температура каналу (Tch): 150°C.
• Тепловий опір канал-корпус (Rth(ch-c)): 0.833°C/Вт.
• Корпус: SC-65 (вага 4.6 г).

Специфікації

• Діапазон напруги затвору: 2.0–4.0 В (порогова напруга).
• Витік струму (IDSS): ≤100 мкА при VDS = 720 В.
• Загальний заряд затвора (Qg): 60 нКл.
• Заряд затвор-дренаж (Qgd): 26 нКл.
• Час відновлення діода (trr): 1.4 мкс.
• Енергія одноразового лавинного імпульсу (EAS): 778 мДж.
• Матеріал корпусу: кремній, з ефективним тепловідведенням.

Переваги

• Низький опір у відкритому стані для зниження енергоспоживання.
• Швидке перемикання для високочастотних застосувань.
• Робота при високих напругах до 900 В.
• Компактний корпус для зручного монтажу.
• Надійність у важких умовах роботи.

  2SK3878 MOSFET, високовольтний N-канальний транзистор, транзистор Toshiba 2SK3878, транзистор для регуляторів напруги, потужний MOSFET 900 В, транзистори для промислової електроніки.

  транзистор 2SK3878, N-канальний MOSFET, високовольтний транзистор, Toshiba транзистори, RDS(on) 1.0 Ом, транзистор для інверторів, SC-65 корпус, енергоефективний транзистор, швидкий MOSFET, польовий транзистор 900В, транзистори для схем управління, транзистори для джерел живлення, транзистор з низьким опором, компактний MOSFET, MOSFET Toshiba, транзистор для високочастотних схем.

N-Channel 900V x 9A x150W 
2SK1358