STP6NK60Z || MOSFET N-channel TO-220

Транзистор STP6NK60Z (600V*6A*1.2 Ohm) (TO-220) N-channel

Опис
  STP6NK60Z – це n-канальний SuperMESH™ MOSFET від STMicroelectronics з характеристиками 600 В, 6 А та максимальною потужністю 110 Вт у корпусі TO-220. Завдяки Zener-захисту і зменшеному заряду затвора цей MOSFET підходить для високовольтних перемикальних застосувань. Пристрій пройшов тестування на лавинний режим і має високу стійкість до пікових значень dv/dt.

Технічна інформація

• Напруга сток-витік (VDS): 600 В
• Опір у ввімкненому стані (RDS(on)): ≤1,2 Ом
• Струм стоку (ID): 6 А при 25°C
• Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 24 А
• Напруга затвора (VGS): ±30 В
• Загальна потужність розсіювання (PTOT): 110 Вт
• Струм витоку при вимкненому затворі (IDSS): макс. 50 мкА при 125°C
• Напруга пробою затвору (BVGSO): 30 В
• Заряд затвора (Qg): 33 нКл при 480 В
• Час увімкнення/вимкнення: 14 нс / 47 нс

Призначення
  Цей MOSFET використовується у високовольтних комутаційних застосуваннях, включаючи блоки живлення та інвертори. Серед ключових застосувань – стабілізатори і перетворювачі постійного струму.

  MOSFET, n-канальний транзистор, 600 В, 6 А, TO-220, STP6NK60Z, SuperMESH, високовольтний транзистор, комутаційний транзистор, захист затвора, надійність, енергозбереження, швидкий MOSFET, електронні компоненти, STMicroelectronics, блок живлення, інвертор, підсилювач, Zener захист, промислові застосування.

  STP6NK60Z n-канальний MOSFET 600 В 6 А, комутаційний MOSFET STP6NK60Z, високовольтний MOSFET, MOSFET для інвертора, STP6NK60Z транзистор для стабілізатора, SuperMESH MOSFET STP6NK60Z, STMicroelectronics MOSFET STP6NK60Z

datasheet STP6NK60 pdf