IRF730N || Польовий N-channel транзистор TO-220

Транзистор IRF730 400V 5.5A 74W (TO-220) N-channel
Документація IRF730 pdf

  Опис

   IRF730N — це високоякісний n-канальний MOSFET транзистор, який відзначається високою швидкістю перемикання та низьким опором у відкритому стані. Завдяки своїм характеристикам, цей транзистор ідеально підходить для використання в джерелах живлення, перетворювачах напруги, інверторах, а також у схемах керування електродвигунами та інших силових електронних пристроях.

Технічна інформація

• Тип транзистора: n-канальний MOSFET
• Максимальна напруга стоку-витоку (Vds): 400 В
• Максимальний струм стоку (Id): 5.5 А
• Опір у відкритому стані (Rds(on)): 1.1 Ω
• Максимальна температура переходу (Tj): 150°C
• Тип корпуса: TO-220AB
• Максимальна потужність розсіювання: 94 Вт
• Порогова напруга (Vgs(th)): 2-4 В
• Вхідна ємність (Ciss): 600 пФ

Призначення

   Транзистор IRF730N призначений для використання в джерелах живлення, інверторах, перетворювачах напруги та інших силових електронних пристроях, де потрібна висока напруга та надійне перемикання.

IRF730N, n-канальний MOSFET, високовольтний транзистор, транзистор для інверторів, транзистор для джерел живлення, IRF730N характеристики, MOSFET 400В, транзистор для керування, транзистор TO-220AB, потужний MOSFET, IRF730N застосування, надійний транзистор, високочастотний транзистор, IRF730N ціна, IRF730N купити.

IRF730N транзистор, n-канальний MOSFET, високовольтний транзистор, MOSFET 400В, IRF730N характеристики, IRF730N купити