FQPF12N60C || Mosfet транзистор N-channel TO-220F

Mosfet транзистор FQPF12N60C (600V*12A*55W) N-channel

Опис

  FQPF12N60C - це N-канальний MOSFET транзистор від Fairchild Semiconductor з напругою пробою 600 В та максимальною струмовою здатністю 12 А. Він побудований на основі передової технології DMOS з мінімальним опором у відкритому стані та високою швидкістю перемикання. Транзистор особливо підходить для використання в високоефективних імпульсних джерелах живлення, корекції активного коефіцієнта потужності та електронних баластах для ламп.

Технічна інформація

• Тип транзистора: N-канальний MOSFET
• Напруга пробою (VDSS): 600 В
• Струм стоку (ID): 12 А (постійний при 25°C), 7.4 А (постійний при 100°C), 48 А (імпульсний)
• Опір каналу (RDS(on)): 0.65 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 6 А
• Заряд затвора (Qg): 48 нКл
• Заряд вихідного конденсатора (Crss): 21 пФ
• Розсіювання потужності (PD): 51 Вт при 25°C
• Робоча температура (TJ): -55°C до +150°C
• Корпус: TO-220F

Призначення

Транзистор FQPF12N60C застосовується в таких пристроях, як:

• Високоефективні імпульсні джерела живлення
• Корекція активного коефіцієнта потужності
• Електронні баласти для ламп на основі напівмостової топології

1. N-канальний MOSFET
2. Високовольтний транзистор
3. Транзистор для джерел живлення
4. FQPF12N60C
5. Fairchild транзистор
6. 600 В транзистор
7. Транзистор з низьким опором
8. Транзистор для корекції потужності
9. Електронний баласт
10. DMOS транзистор
11. MOSFET з високою швидкістю перемикання
12. Транзистор TO-220F
13. 12 А транзистор
14. Транзистор для ламп
15. Перемикальний транзистор
16. Потужний MOSFET
17. FET транзистор
18. Високоефективний транзистор
19. Електронні компоненти
20. Планарний транзистор

1. високоефективний n-канальний MOSFET
2. транзистор для імпульсних джерел живлення
3. Fairchild FQPF12N60C
4. високовольтний n-канальний транзистор
5. транзистор з низьким опором каналу
6. транзистор для корекції коефіцієнта потужності

Документація FQPF12N60C pdf