Інформація
Пошук

CEM9926A || Dual N-Channel Transistor

Код товару: 4800019

Скорочений опис


Потужний двоканальний MOSFET CEM9926A у корпусі SOP-8 — рішення для Li-Ion захисту та DC-схем Опис    CEM9926A - двоканальний N-канальний MOSFET транзистор у компактному корпусі SOP-8, який забезпечує високу щільні... Читати далі...

Характеристики


Корпус - SOP-8
Тип - Dual N-Channel транзистор
Напруга, В - 20
Максимальний прямий струм - 6 А
Переглянути всі характеристики

15.1 грн.

  • Код товару: 4800019
  • Наявність: На складі 1


Потужний двоканальний MOSFET CEM9926A у корпусі SOP-8 — рішення для Li-Ion захисту та DC-схем

Опис

   CEM9926A - двоканальний N-канальний MOSFET транзистор у компактному корпусі SOP-8, який забезпечує високу щільність струму та низький опір каналу. Завдяки технології low RDS(on) та напрузі до 20 В, CEM9926A широко використовується у схемах захисту літієвих акумуляторів, DC-DC перетворювачах, підсистемах керування живленням та портативній електроніці.

Основні характеристики

  • Тип: Dual N-канальний MOSFET
  • Конфігурація: 2 транзистори в одному корпусі
  • Корпус: SOP-8 (поверхневий монтаж)
  • Напруга стік-джерело (Vds): 20 В
  • Струм стоку (Id): до 6 A
  • Опір відкритого каналу RDS(on):
  • – 33 мОм @ Vgs = 4.5 В
  • – 50 мОм @ Vgs = 2.5 В
  • Напруга затвор-джерело: ±12 В
  • Напруга відкривання затвора: 0.5 – 1.2 В
  • Температурний діапазон: -55°C…+150°C
  • Застосування: Li-Ion battery protection, DC switch, LED-драйвери, зарядні пристрої

Специфікація

Параметр Значення
Тип транзистора N-канальний MOSFET (x2)
Напруга стік-джерело (Vds) 20 В
Струм стоку (Id) до 6 A
Напруга затвор-джерело (Vgs) ±12 В
Опір каналу RDS(on) 33 мОм @ 4.5 В / 50 мОм @ 2.5 В
Напруга відкривання затвора 0.5 – 1.2 В
Діод зворотної провідності Є, Vf ~ 1.2 В @ 1.5 A
Корпус SOP-8
Монтаж SMD (поверхневий)
Робоча температура -55°C…+150°C

Інструкція

  • Монтується на друковану плату з використанням пайки (тип SOP-8).
  • Забезпечте теплоотвід при використанні з високими струмами.
  • Використовуйте в парі для реалізації H-мостів, перемикачів живлення або балансу літієвих елементів.
  • Рекомендується використовувати згідно специфікації Vgs ±12 В.

   CEM9926A, MOSFET CEM9926, подвійний MOSFET SOP-8, транзистор для акумулятора, MOSFET N-канальний 6А, CEM9926 dual MOSFET, транзистор у корпусі SOP-8, транзистор для зарядного, транзистор для захисту літію, транзистор для DC-DC, транзистор 20V 6A, N-channel MOSFET dual, CEM9926A datasheet, транзистор для BMS, транзистор з низьким RDSon, транзистор парний, MOSFET на плату, транзистор 9926, електронний ключ, SMD транзистор

  CEM9926A, dual MOSFET SOP-8, транзистор N-канальний 6А, MOSFET CEM9926, транзистор 20V 33mOm, SMD MOSFET подвійний, CEM9926A datasheet, транзистор для BMS, транзистор для захисту Li-Ion, MOSFET 9926A, мікросхема захисту батареї, транзистор SOP-8 монтаж, транзистор з низьким опором каналу, електронний ключ SOP8, SMD транзистор 6А, транзистор Amps 6A 20V, компонент для акумуляторів, мікросхема живлення, транзистор із вбудованим діодом


Документація CEM9926A pdf

Електронні компоненти
Корпус SOP-8
Тип Dual N-Channel транзистор
Напруга, В 20
Діоди
Максимальний прямий струм 6 А

Написати відгук

Будьласка авторизуйтесь або зареєструйтеся для перегляду
Рекомендовані товари
Щойно переглянули