AP4525GEH || Dual N and P-channel mosfet TO252-4L

AP4525GEH (SOP252-5)

Опис

  AP4525 – це комплементарна пара N-канальних і P-канальних MOSFET транзисторів, розроблена для використання в схемах високошвидкісного перетворення енергії, комутації та управління. Транзистори забезпечують низький опір у відкритому стані (RDS(on)), швидке перемикання та відмінну теплову стабільність. Вони оптимально підходять для джерел живлення, інверторів, драйверів двигунів та інших додатків, що вимагають високої продуктивності при компактних розмірах.

Основні характеристики

N-канальний MOSFET:

• Максимальна напруга стік-витік (VDS): 40 В.
• Максимальний струм стоку (ID):
  • Постійний: 15 А.
  • Імпульсний: 50 А.
• Опір у відкритому стані (RDS(on)):
  • при VGS = 10 В: ≤ 28 мОм.
  • при VGS = 4.5 В: ≤ 32 мОм.
• Потужність розсіювання (PD): 10.4 Вт.

P-канальний MOSFET:

• Максимальна напруга стік-витік (VDS): -40 В.
• Максимальний струм стоку (ID):
  • Постійний: -12 А.
  • Імпульсний: -50 А.
• Опір у відкритому стані (RDS(on)):
  • при VGS = -10 В: ≤ 42 мОм.
  • при VGS = -4.5 В: ≤ 60 мОм.
• Потужність розсіювання (PD): 10.4 Вт.

Специфікації

• Напруга затвору (VGS): ±16 В.
• Температурний діапазон: -55°C … +150°C.
• Швидкість перемикання (типові значення):
  • Час увімкнення (tD(on)): 7 нс (N-канальний), 8.5 нс (P-канальний).
  • Час вимкнення (tD(off)): 20 нс (N-канальний), 27 нс (P-канальний).
• Заряд затвора (Qg):
  • N-канальний: 9–14 нКл.
  • P-канальний: 9–24 нКл.
• Ємності:
  • Вхідна ємність (Ciss): 930 пФ (N-канальний), 1230 пФ (P-канальний).
  • Вихідна ємність (Coss): 100 пФ (N-канальний), 165 пФ (P-канальний).

Переваги

• Комплементарна пара для зручності інтеграції в схеми інверторів та драйверів.
• Низький опір у відкритому стані для мінімізації втрат енергії.
• Швидке перемикання для високочастотних додатків.
• Висока продуктивність при компактних розмірах.
• Стійкість до високих струмів і температур.

  AP4525 MOSFET, N-канальний і P-канальний MOSFET AP4525, транзистори для інверторів, драйвери двигунів AP4525, компактні транзистори AP4525, MOSFET для джерел живлення, енергоефективні транзистори AP4525.

  транзистори AP4525, комплементарний MOSFET AP4525, N-канальний MOSFET 40 В, P-канальний MOSFET -40 В, компактний корпус TO-252-4L, драйвери двигунів AP4525, швидкі транзистори для інверторів, енергоефективний транзистор, MOSFET для систем управління енергоспоживанням, транзистори для високочастотних схем.

Документація ap4525 pdf